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为证券之星据公开信息整理股票如何配资,由智能算法生成,不构成投资建议。 驰拓科技最新成果论文,引发专家热议 SOT-MRAM(自旋轨道矩磁性随机存取存储器)以其纳秒级写入速度和无限次擦写次数,是一种有望替代CPU各级缓存的高性能非易失存储技术,有望解决当前SRAM成本及静态功耗过高等问题。然而,SOT-MRAM在器件制造工艺上极具挑战性,特别是传统方案从原理上导致刻蚀良率低,严重制约了其大规模生产与应用。 2024年12月7日至11日,国际微电子领域顶级学术会议IEDM第70届年度会议在美国旧
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